一、特點 　　MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路的設(shè)計技術(shù)和制造工藝，進(jìn)行高精度（精確度）、低成本的大批量生產(chǎn)，從而為消費電子和工業(yè)過程控制產(chǎn)品(Product)用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單、易用和智能(intelligence)化。發(fā)電機不接負(fù)載時， 電樞電流為零，稱為空載運行。此時電機定子的三相繞組只有勵磁電流 f感生出的空載電動勢E0（三相對稱），其大小隨 f的增大而增加。但是，由于電機磁路鐵心有飽和現(xiàn)象，所以兩者不成正比。反映空載電動勢 0與勵磁電流 f關(guān)系的曲線稱為同步發(fā)電機的空載特性。 　　傳統(tǒng)的機械量壓力傳感器是基于金屬彈性體受力變形，由機械量彈性變形到電量轉(zhuǎn)換輸出，因此它不可能（maybe)如MEMS壓力傳感器那樣，像集成電路那么微小，而且成本也遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于MEMS壓力傳感器。相對于傳統(tǒng)的機械量傳感器，MEMS壓力傳感器的尺寸更小，最大的不超過一個厘米，相對于傳統(tǒng) ;機械 ;制造技術(shù)，其性價比大幅度提高。 　　
　　二、MEMS壓力傳感器原理 　　目前的MEMS壓力傳感器有硅(silicon)壓阻式壓力傳感器和硅電容式壓力傳感器，兩者都是在硅片上生成的微機械電子傳感器。 　　硅壓阻式壓力傳感器是采用高精密(precise)半導(dǎo)體電阻應(yīng)變片組成惠斯頓電橋作為力電變換測量電路的，具有比較高的測量精度、較低的功耗和極低的成本。惠斯頓電橋的壓阻式傳感器，如無壓力變化，其輸出為零，幾乎不耗電。其電原理如圖1所示。硅壓阻式壓力傳感器其應(yīng)變片電橋的光刻版本如圖2。 　　MEMS硅壓阻式壓力傳感器采用周邊固定(fixed)的圓形應(yīng)力杯硅薄膜（薄而軟的透明薄片）內(nèi)壁，采用MEMS技術(shù)直接將四個高精密半導(dǎo)體應(yīng)變片刻制在其表面應(yīng)力最大處，組成惠斯頓測量電橋，作為力電變換測量電路，將壓力這個物理量直接變換成電量，其測量精度能達(dá)0.01-0.03%FS�！� 　　電容式壓力傳感器利用MEMS技術(shù)在硅片上制造出橫隔柵狀，上下二根橫隔柵成為一組電容式壓力傳感器，上橫隔柵受壓力作用向下位移，改變了上下二根橫隔柵的間距，也就改變了板間電容量的大小，即△壓力=△電容量。 　　
　　三、MEMS壓力傳感器的應(yīng)用前景 　　MEMS壓力傳感器廣泛(extensive)應(yīng)用于汽車電子如TPM
　　S、發(fā)動機機油壓力傳感器、汽車剎車系統(tǒng)(system)空氣壓力傳感器、汽車發(fā)動機進(jìn)氣歧管壓力傳感器（TMAP）、柴油機共軌壓力傳感器。消費電子如胎壓計、血壓計、櫥用秤、健康秤，洗衣機、洗碗機、電冰箱、微波爐、烤箱、吸塵器用壓力傳感器，空調(diào)壓力傳感器，洗衣機、飲水機、洗碗機、太陽能熱水器（主要使用人群：普通居民）用液位控制壓力傳感器。工業(yè)電子如數(shù)字壓力表、數(shù)字流量表、工業(yè)配料稱重等。 　　典型的MEMS壓力傳感器管芯（die）結(jié)構(gòu)和電原理，左是電原理圖，即由電阻應(yīng)變片組成的惠斯頓電橋，右為管芯內(nèi)部結(jié)構(gòu)圖。典型的MEMS壓力傳感器管芯可以用來生產(chǎn)各種壓力傳感器產(chǎn)品(Product)。MEMS壓力傳感器管芯可以與儀表放大器和ADC管芯封裝在一個封裝內(nèi)（MCM），使產(chǎn)品設(shè)計師很容易使用這個高度集成的產(chǎn)品設(shè)計最終產(chǎn)品。 　　
　　四、MEMS壓力傳感器Die的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售(Sales)鏈 　　MEMS壓力傳感器Die的設(shè)計、生產(chǎn)、銷售鏈。目前集成電路的4寸圓晶片生產(chǎn)線的大多數(shù)工藝可為MEMS生產(chǎn)所用。但是需要增加雙面光刻機、濕法腐化侵蝕 臺和鍵合機三項MEMS特有的工藝設(shè)備。壓力傳感器產(chǎn)品(Product)生產(chǎn)廠商需要增加價格不菲的標(biāo)準(zhǔn)壓力檢測(檢查并測試)設(shè)備。對于MEMS壓力傳感器生產(chǎn)廠家來說，開拓汽車電子以及消費電子領(lǐng)域的銷售經(jīng)驗和渠道是十分重要和急需的。特別是汽車電子對MEMS壓力傳感器的需要量在近幾年激增，如捷伸電子的年需求量約為200-300萬個。 　　
　　五、MEMS芯片在設(shè)計、工藝、生產(chǎn)(Produce)方面與IC的異同 　　與傳統(tǒng)IC行業(yè)注重二維靜止的電路設(shè)計不同，MEMS以理論力學(xué)為基礎(chǔ)，結(jié)合電路知識(zhī shí)設(shè)計三維動態(tài)產(chǎn)品(Product)。發(fā)電機不接負(fù)載時， 電樞電流為零，稱為空載運行。此時電機定子的三相繞組只有勵磁電流 f感生出的空載電動勢E0（三相對稱），其大小隨 f的增大而增加。但是，由于電機磁路鐵心有飽和現(xiàn)象，所以兩者不成正比。反映空載電動勢 0與勵磁電流 f關(guān)系的曲線稱為同步發(fā)電機的空載特性。對于在微米尺度進(jìn)行機械設(shè)計會更多地依靠經(jīng)驗，設(shè)計開發(fā)工具（Ansys）也與傳統(tǒng)IC（如EDA）不同。MEMS加工除了使用大量傳統(tǒng)的IC工藝，還需要一些特殊工藝，如雙面刻蝕，雙面光刻等。MEMS比較傳統(tǒng)IC，工藝簡單，光刻步驟少，MEMS生產(chǎn)的一些非標(biāo)準(zhǔn)的特殊工藝，工藝參數(shù)需要按照產(chǎn)品的要求來進(jìn)行調(diào)整。由于需要產(chǎn)品設(shè)計、工藝設(shè)計和生產(chǎn)三方面的密切配合，IDM的模式要優(yōu)于Fabless+Foundry的模式。MEMS對封裝技術(shù)的要求很高。傳統(tǒng)半導(dǎo)體（semiconductor）廠商的生產(chǎn)線正面臨淘汰，即使用來生產(chǎn)LDO，其利潤(profit)也非常低，但是，如果生產(chǎn)MEMS，則可獲得比較高的利潤。線上的每一個圓晶片可生產(chǎn)合格的MEMS壓力傳感器(transducer)Die5-6K個，每個出售后，可獲成本7-10倍的毛利。轉(zhuǎn)產(chǎn)MEMS對廠家的工藝要求改動不大，新增輔助設(shè)備有限，投資（意義：是未來收益的累積）少、效益高。MEMS芯片與IC芯片整合封裝是集成電路技術(shù)發(fā)展的新趨勢（trend)，也是傳統(tǒng)IC廠商的新機遇。 　　
　　六、生產(chǎn)MEMS壓力傳感器(transducer)Die成本估計 　　　圓晶片生產(chǎn)線生產(chǎn)MEMS壓力傳感器Die成本估計如表所示，新增固定成本是指為該項目(xiàng mù)投入的人員成本和新設(shè)備的折舊（人員：專家1名+MEMS設(shè)計師2名+工程師4名+工藝師5名+技工12名，年成本147萬元，新增設(shè)備投入650萬元，按90%四年折舊計算）；現(xiàn)有成本是指在5次光刻條件下使用的成本（包括(bāo kuò)人工、化劑、水電、備件等的均攤成本）；硅片材料(Material)成本是指雙拋4寸硅片的價格。發(fā)電機不接負(fù)載時， 電樞電流為零，稱為空載運行。此時電機定子的三相繞組只有勵磁電流 f感生出的空載電動勢E0（三相對稱），其大小隨 f的增大而增加。但是，由于電機磁路鐵心有飽和現(xiàn)象，所以兩者不成正比。反映空載電動勢 0與勵磁電流 f關(guān)系的曲線稱為同步發(fā)電機的空載特性。